지연된 건 2나노가 아니다

HBM4 (고대역폭 메모리 4세대) 는 메모리 스택 맨 아래에 있는 베이스 다이 (base die — 12층 DRAM 을 받치고 외부 GPU 와 연결을 중계하는 로직 칩) 를 처음으로 파운드리 로직 공정에 위탁한 세대다. 그런데 그 노드는 N2 가 아니다.

SK하이닉스와 Micron 은 TSMC N5 (5나노) 와 12FFC (12나노 강화) 를 쓴다. Samsung 은 자사 4나노로 베이스 다이를 처리해 TSMC 의존을 끊는다 (출처: tomshardware.com). 즉 HBM4 의 베이스 다이 공급망은 TSMC 의 비-N2 노드와 자사 파운드리에 분산돼 있다.

HBM4 자체의 양산 진척은 메모리 3사의 자체 DRAM 캐파에 달려 있다. SK하이닉스 M15X 는 2026년 2월에 가동했는데, 이는 예정 대비 4개월 빠른 출발이다 (출처: trendforce.com). Samsung 은 2026년 HBM 캐파를 전년 대비 50% 늘려 월 25만 장 수준을 노린다.

그렇다면 N2 와 HBM4 사이에 정말 아무런 연결도 없는가. 직접 결합은 약하다. 단 간접 채널이 하나 있다. Apple 이다.

Apple 은 2026년 N2 캐파의 절반 이상을 선점했다 (출처: appleinsider.com). iPhone 18 Pro 시리즈 AP (Application Processor — 모바일 메인 칩) 용 물량이다. 나머지 절반을 Qualcomm·MediaTek·AMD·NVIDIA 가 나눠 쓴다. 이 압력에 밀려 일부 고객은 한 단계 아래 노드로 후퇴한다. NVIDIA Rubin 의 컴퓨트 다이는 N3P (TSMC 3나노 강화 버전) 로 굳어졌다.

2026년 3월, SK하이닉스가 HBM4E 의 베이스 다이에 TSMC 3나노를 검토 중이라는 보도가 나왔다 (출처: trendforce.com). HBM4 까지는 N5/12FFC 였지만, HBM4E 단계에서는 base die 도 N3 로 옮긴다. 바로 그 슬롯에서 Rubin 의 후속 GPU·Apple 의 차세대 SoC·AMD MI 시리즈가 동시에 N3 캐파를 다투게 된다.

핵심은 다음이다. 2나노 그 자체는 HBM4 와 거의 무관하다. 그러나 Apple 의 N2 점유가 N3 로 다른 고객을 밀어내는 흐름은 HBM4E 단계에서 base die 를 두고 메모리 3사와 GPU·SoC 진영의 캐파 다툼을 만들어낸다.

여기서 두 관점이 부딪친다. 한쪽은 단기를 본다. 2026년 HBM4 공급의 진짜 병목은 메모리 3사의 자체 DRAM 캐파지 파운드리 슬롯이 아니다. SK하이닉스가 M15X 를 4개월 앞당긴 것도, Samsung 이 캐파를 50% 늘리는 것도 모두 자체 라인 증설 이야기다. TSMC 가 만드는 베이스 다이는 N5/12FFC 의 보조 역할이고, 그 노드는 N2 만큼 빡빡하지 않다.

반면 다른 한쪽은 중기를 본다. HBM4E 단계에 들어서면 베이스 다이가 N3 로 올라간다. NVIDIA 후속 GPU (Rubin Ultra 또는 Feynman 단계) 와 Apple 차세대 SoC 는 같은 시기 N3 캐파를 두고 메모리 3사와 부딪친다. 2027~2028년이 진짜 결전이라는 시각이다.

둘 다 일부씩 옳다. 어느 쪽 손을 들 것인가. 2026년 시야에선 단기 시각이 우세하다. HBM4 의 양적 한계는 메모리 3사 캐파에서 나오지, 파운드리에서 나오지 않는다. 패배한 입장은 HBM4E 가 N3 base die 로 굳어지고 동시에 Apple·NVIDIA 가 N3 캐파를 추가로 흡수하는 시나리오에서 부활한다. 그 신호는 2026년 하반기 SK하이닉스의 HBM4E 노드 확정 발표다.

지금부터 1년간 무엇을 보면 시나리오가 갈라지는지 정리한다. 핵심은 N3 캐파의 분배가 HBM4E 단계에서 어떻게 결판나는가에 있다.

첫 번째 분기점은 SK하이닉스의 HBM4E 베이스 다이 노드 확정이다. N3 로 굳어지면 메모리 3사와 GPU·SoC 진영의 N3 다툼이 공식화된다. 두 번째는 Apple 의 2027년 N3 추가 점유율이다. iPhone 19 라인이 N2 와 N3 중 어느 쪽으로 다각화하는지가 압력의 방향을 결정한다.

세 번째 신호는 Samsung 의 12hi HBM4 인증 통과 여부다. NVIDIA Rubin 본격 양산 라인에 진입하면 메모리 3사 균형이 흔들린다. 네 번째는 TSMC N3 캐파 증설 발표다. Apple 이 빠진 N2 잉여 캐파가 N3 변환으로 흘러들어오면 압박이 풀린다.

마지막은 NVIDIA Feynman 의 HBM 사양 공개다. HBM4E 12.8 GT/s 를 채택하면 base die 가 N3 로 가는 흐름이 굳어진다. 반대로 HBM5 로 직접 도약한다는 신호가 나오면 N3 base die 의 수명이 짧아진다.